SK Hynix presenta su modulo de memoria DDR4 de 128GB

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Poco a poco tenemos más datos sobre la próxima generación de memoria RAM DDR4 en este caso la compañía SK Hynix nos trae su primer módulo de 128GB de memoria DDR4 fabricado a 20nm que según ellos pueden empezar a producir en masa, aunque este producto lo veremos en el mercado global en el 2015.

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Este primer módulo DDR4 de 128GB desarrollado por SK Hynix tiene un consumo máximo de 1.2V una mejora sustancial respecto a los modelos de bajo consumo DDR3L que hemos visto, por ejemplo en los últimos NUC de Intel o en placas base de bajo consumo como las de las familias J1800/ y J1900. Para conseguir esa capacidad de memoria se usa una la tecnología TSV(Through Silicon Via) que permite una mayor densidad de almacenamiento. La memoria trabaja a 2133 Mbps con un bus de 64bit que llega a unas velocidades de 17GB/s. Aparte de este módulo de 128GB tendremos otro de 64GB con las mismas especificaciones. Aún se desconoce fecha concreta de lanzamiento y precio final.

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